Samsung 990 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND

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Descrizione

Samsung 990 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND

Il Samsung 990 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND appartiene alla categoria Solid state drive ed è accompagnato da una scheda tecnica dettagliata.

Caratteristiche principali

  • Capacità SSD: 1 TB
  • Dimensione SSD: M.2
  • Interfaccia: PCI Express 4.0
  • NVMe: Sì
  • Tipo memoria: V-NAND
  • Componente per: PC

Per il dettaglio completo consulta la sezione Specifiche tecniche.

SKU: MZ-V9V1T0BW
EAN: 8806099020699

Specifiche Icecat. Dati tecnici forniti così come sono e soggetti a possibili aggiornamenti.

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Specifiche tecniche

Capacità SSD

1 TB

Dimensione SSD

M.2

Interfaccia

PCI Express 4.0

NVMe

Sì

Tipo memoria

V-NAND

Componente per

PC

criptaggio hardware

Sì

Versione di NVMe

2.0

Algoritmi di sicurezza supportati

256-bit AES, TCG Opal 2.0

Dimensioni dell'unità SSD M.2

2280 (22 x 80 mm)

Velocità di lettura

7150 MB/s

Velocità di scrittura

6450 MB/s

Lettura casuale (4KB)

700000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Scrittura casuale (4KB)

1100000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Linee dati dell'interfaccia PCI Express

x4

Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)

Sì

Revisione PCI Express CEM

4.0

Supporto S.M.A.R.T.

Sì

Supporto TRIM

Sì

Tempo medio tra guasti (MTBF)

1500000 h

Tensione di esercizio

3,3 V

Consumo di energia (in lettura)

4 W

Consumo di energia (in scrittura)

3,7 W

Consumo energetico (inattivo)

0,055 W

Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa)

3 mW

Larghezza

80,2 mm

Profondità

2,38 mm

Altezza

22,1 mm

Tipo di imballo

Scatola

Intervallo temperatura di funzionamento

0 – 70 °C

Shock di funzionamento

1500 G

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